Indium Arsenide屈折率

ヒ化インジウム、InAs、別名アルシントリイルインジウムは、インジウムとヒ素から成る半導体材料です。それはグレーの立方晶系結晶の外観を持ち、波長範囲が1～3.8 µmまでの赤外線探知機の構造として用いられます。探知機は大抵光電池フォトダイオードです。

632.8nmでのInAsの典型的なサンプルの 屈折率 と 減衰係数は 3.963と0.607 です。以下は屈折率と減衰係数の完全なファイルです。もしファイルのダウンロードがご利用いただけない場合、“リクエストする”をクリックし当社独自のファイルをリクエストしていただけます。

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屈折率参照 - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV" Phys. Rev. B 27, 985–1009 doi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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