Gallium Nitride屈折率

窒化ガリウム(GaN)は2元III-V直接禁止帯半導体で、1990年代以降主にまぶしい発光ダイオードに用いられています。その化合物はウルツ鋼結晶構造を持つ非常に堅い材料です。

632.8nmでのGaNの典型的なサンプルの屈折率と減衰係数は 2.380と0.000 です。以下は屈折率と減衰係数の完全なファイルです。もしファイルのダウンロードがご利用いただけない場合、“リクエストする”をクリックし当社独自のファイルをリクエストしていただけます。

波長 (nm)

屈折率参照 - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

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