Gallium Nitride屈折率

窒化ガリウム(GaN)は2元III-V直接禁止帯半導体で、1990年代以降主にまぶしい発光ダイオードに用いられています。その化合物はウルツ鋼結晶構造を持つ非常に堅い材料です。

632.8nmでのGaNの典型的なサンプルの 屈折率減衰係数は 2.380と0.000 です。以下は屈折率と減衰係数の完全なファイルです。もしファイルのダウンロードがご利用いただけない場合、“リクエストする”をクリックし当社独自のファイルをリクエストしていただけます。

  • 無制限使用のためのタブで区切ったデータファイル
500
1000
1500
2000
2500
3000
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
GaN 屈折率(n) 値
500
1000
1500
2000
2500
3000
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
GaN 消衰係数(k) 値
波長 (nm)

屈折率参照 - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

Wikipedia: Gallium nitride
Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: numerical data and graphical

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