Gallium Arsenide屈折率

ガリウムヒ素(GaAs) はガリウムとヒ素元素の混合物で、III-V族半導体で、電子レンジの周波数集積回路、モノリシック電子レンジ集積回路、赤外線発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池や光学窓などの機器の製造に用いられます。

632.8nmでのGaAsの典型的なサンプルの屈折率と減衰係数は 3.857と0.198 です。以下は屈折率と減衰係数の完全なファイルです。もしファイルのダウンロードがご利用いただけない場合、“リクエストする”をクリックし当社独自のファイルをリクエストしていただけます。

波長 (nm)

屈折率参照 - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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